nSi 3.5 折射率，硅 (Si)
nSiO2 1.445 折射率，二氧化硅 (SiO2)
deltan 0.0075 相对折射率差
nCore nSiO2/sqrt(1-2*deltan) 折射率，芯层（掺杂 SiO2）
alphaSi 2.5e-6[1/K] 热膨胀系数，硅
alphaSiO2 0.35e-6[1/K] 热膨胀系数，二氧化硅
ESi 110[GPa] 杨氏模量，硅
ESiO2 78[GPa] 杨氏模量，二氧化硅
nuSi 0.19 泊松比，硅
nuSiO2 0.17 泊松比，二氧化硅
rhoSi 2330[kg/m^3] 密度，硅
rhoSiO2 2203[kg/m^3] 密度，二氧化硅
B1 0.65e-12[m^2/N] 第一应力光学系数
B2 4.2e-12[m^2/N] 第二应力光学系数
T1 20[degC] 工作温度
T0 1000[degC] 参考温度
lambda0_ewfd 1.55[um] 自由空间波长
d 2[mm] 面外扩展量