分子流模块
新增 App：离子注入机计算器
这个 App 可以检查一个离子注入机设备中的数密度、压力，以及分子流量。晶片的角度、化学组成、温度、排气速率，以及泵速为输入值。结果显示了数密度的三维图，其中沿着束迹给出解析解的平均数密度。
离子注入机 App 的截屏，其中显示设备中的数密度分布，以及沿着束迹的平均值。
离子注入机 App 的截屏，其中显示设备中的数密度分布，以及沿着束迹的平均值。
快速自由分子流计算的数值改进
自由分子流 接口具有更好的并行效率，允许在计算过程中更有效地使用更多核。下表显示了在 COMSOL Multiphysics 5.1 中运行的三个教学模型比老版本加快了多少，使用一个 10 核的计算机来运行仿真。
| 教学 | CPU Time (5.0) | CPU Time (5.1) | 提速 |
| 蒸发器 | 2 小时 24 分 4 秒 | 18 分 31 秒 | 7.8 |
| 排气管 | 2 分 57 秒 | 45 秒 | 3.9 |
| 离子注入机 | 5 分 15 秒 | 2 分 1 秒 | 2.6 |
分子流的多物质
新增的指定排气速率的选项
现在排气速率可以指定单位为 [(torr * l)/cm^2/s] 或 [(mbar * l)/cm^2/s]（等价的 SI 单位为 W/m2）。当在‘壁’边界条件中选定 排气壁 选项时，您现在可以在新增的 热解吸率 特征中使用这些单位。
新增教学模型：超高真空中的化学气相沉积
化学气相沉积（CVD）常用于半导体工业中在晶片基底上生长出高纯度的固体材料层。有很多不同的技术可以实现 CVD，压力范围从大气压到超高真空（UHV/CVD）。因为 UHV/CVD 在压力低于 10-6 Pa（10-8 Torr）情况下进行，气体的传递是通过分子流来实现，因此不存在诸如边界层等流体动力学效应。此外，因为不涉及气相化学（分子碰撞频率很低），生长速率通常由物质的数密度和表面分子分解过程决定。
这个教学模型在 自由分子流 接口中使用多种物质来模拟通过硅晶片的化学气相沉积。通过辅助的扫描，研究了不同泵速曲线的效果。
图中显示了超高真空的晶片暗室中进行化学气相沉积过程中的 SiH4 分子流量分数。
图中显示了超高真空的晶片暗室中进行化学气相沉积过程中的 SiH4 分子流量分数。