通过密度梯度分析法研究 InAs 纳米线 FET 中的表面阱诱导滞回线

Application ID: 97361


本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象,使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中,不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布,以及施主和受主类型的快、慢半导体氧化物界面陷阱的动态电荷效应引起的。本例将捕获概率建模为热激活模型,并具有随陷阱能级变化的势垒高度。在各种电压逐渐上升条件下计算的 G-Vg 曲线的定性行为和数量级与文献中的仿真和实验结果非常吻合。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: