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P-N 二极管电路 中文

模型提取硅 p-n 结二极管的 SPICE 参数,用于创建半波整流器的集总元件等效电路模型。将模型与完整器件仿真进行了比较。在示例中,将二维网状 p-n 结二极管连接到包含正弦源、电阻器和接地的电路 ... 扩展阅读

异质结隧穿 中文

此基准模型模拟分级异质结,其中使用热电子发射公式求解异质结上的电荷转移,通过使用 WKB 近似,显示穿过势垒的量子隧穿效应对电流密度的额外贡献。模拟的系统本质上是一维模型,但我们创建了二维模型来演示较常规构型的仿真过程 ... 扩展阅读

离子敏场效应晶体管 (ISFET) 仿真 中文

离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读

肖特基接触 中文

本案例模拟了由沉积在硅晶片上的钨触点制成的理想 Schottky 势垒二极管,案例中将计算所得的正向偏压下的 J-V(电流密度 vs. 外加电压)曲线与文献中的实验测量结果进行了比较。 扩展阅读

在 AlGaAs/GaAs 量子阱中嵌入 InAs 量子点太阳能电池 中文

本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级,作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁,而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读

异质结 - 一维 中文

这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性,显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异;通过模拟每种构型的能级并进行比较,阐明了电荷转移的起源,即 ... 扩展阅读

MOSFET 击穿 中文

根据给定栅压的漏源电压,MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时,电流与电压呈线性关系,这是欧姆区;随着漏源电压的升高,引出电流开始饱和,这是饱和区;随着漏源电压进一步升高,进入击穿范围 ... 扩展阅读

双势垒 - 一维 中文

双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构,分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读

波长可调 LED

该 App 计算 AlGaN/InGaN LED 的发射属性,还计算外加电压下的发射强度、光谱和效率,或这几个参数在选定的电压范围内随电压变化的情况。可以改变发光 InGaN 区域中的铟成分,来控制发射波长 ... 扩展阅读

使用 k.p 法分析应变纤锌矿 GaN 能带结构 中文

此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构,为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式 ... 扩展阅读