分子流模块
新增 App:离子注入机计算器
这个 App 可以检查一个离子注入机设备中的数密度、压力,以及分子流量。晶片的角度、化学组成、温度、排气速率,以及泵速为输入值。结果显示了数密度的三维图,其中沿着束迹给出解析解的平均数密度。
快速自由分子流计算的数值改进
自由分子流 接口具有更好的并行效率,允许在计算过程中更有效地使用更多核。下表显示了在 COMSOL Multiphysics 5.1 中运行的三个教学模型比老版本加快了多少,使用一个 10 核的计算机来运行仿真。
教学 | CPU Time (5.0) | CPU Time (5.1) | 提速 |
蒸发器 | 2 小时 24 分 4 秒 | 18 分 31 秒 | 7.8 |
排气管 | 2 分 57 秒 | 45 秒 | 3.9 |
离子注入机 | 5 分 15 秒 | 2 分 1 秒 | 2.6 |
分子流的多物质
新增的指定排气速率的选项
现在排气速率可以指定单位为 [(torr * l)/cm^2/s] 或 [(mbar * l)/cm^2/s](等价的 SI 单位为 W/m2)。当在‘壁’边界条件中选定 排气壁 选项时,您现在可以在新增的 热解吸率 特征中使用这些单位。
新增教学模型:超高真空中的化学气相沉积
化学气相沉积(CVD)常用于半导体工业中在晶片基底上生长出高纯度的固体材料层。有很多不同的技术可以实现 CVD,压力范围从大气压到超高真空(UHV/CVD)。因为 UHV/CVD 在压力低于 10-6 Pa(10-8 Torr)情况下进行,气体的传递是通过分子流来实现,因此不存在诸如边界层等流体动力学效应。此外,因为不涉及气相化学(分子碰撞频率很低),生长速率通常由物质的数密度和表面分子分解过程决定。
这个教学模型在 自由分子流 接口中使用多种物质来模拟通过硅晶片的化学气相沉积。通过辅助的扫描,研究了不同泵速曲线的效果。
图中显示了超高真空的晶片暗室中进行化学气相沉积过程中的 SiH4 分子流量分数。
图中显示了超高真空的晶片暗室中进行化学气相沉积过程中的 SiH4 分子流量分数。