波动光学模块
新增 App:表面等离激元光栅分析器
这个 App 计算在一个介电基底上的线光栅的折射系数、单向反射,以及一阶衍射随入射角的变化函数。一个平面波的入射角从光栅结构的法向角度扫描到掠射角。App 中还显示了选定入射角情况下多个光栅周期中的电场大小。
后处理周期性端口和衍射级端口的波矢变量
为入射波和不同衍射级(包括反射波)的波矢增加了后处理变量,这些变量可以用于来自光栅和其他周期性结构的不同衍射级可视化的箭头图。
二维轴对称中的散射边界条件现在可以处理入射和散射平面波
二维轴对称模型的 散射 边界条件现在包括一个散射波类型的平面波选项。这意味着您现在可以设定 散射 边界条件来吸收沿着同轴波导的波传播,如下面的案例所示。更进一步,还可以沿着对称轴输入入射波传播的场。如果您不想使用 集总端口 来激励,这将很适合沿着同轴波导激励和吸收波。
新增频域接口的本构关系:损耗正切;损耗角;以及损耗正切,损耗因子
老版本中的损耗正切模型重命名为了 损耗正切,损耗角。新增了一个称为 损耗正切,耗散因子 的电位移场模型,可以用来直接输入材料的耗散因子。
过渡边界条件上的表面电流密度
这个 过渡 边界条件的子特征是一种单边电流源,专用于 EMI/EMC 应用,它用来模拟沿着薄导电层的单侧施加的电流。
色散 Drude-Lorentz 介质的时域建模
在过去十年,表面等离激元空穴阵列得到了广泛的关注,因为观察到通过亚波长空穴阵列的非凡的透射率。经典的 Bethe 理论预测通过一个 PEC 屏的亚波长圆孔的透射率的比例为 (d/lambda)^4。但是,通过实际的金属膜中的空穴的透射率可以超过 50%,甚至达到 100%。这种现象归因于表面等离激元电磁极子,可以通过空穴隧穿 EM 能量,即使它非常亚波长。这个模型可以作为教学,显示如何模拟色散介质中的全瞬态波方程,例如等离子体和半导体(以及通过大量 Drude-Lorentz 谐振项描述的任意线性介质)。
增加了波长域研究步骤
有了 波长域 研究步骤,您现在可以扫描真空波长,代替 频域 研究中实现的频率扫描。波长域 创建了变量 root.lambda0 和 phys.lambda0(其中 "phys" 是物理场接口的标记)来表征真空波长。这些频率仍然是 电磁波,频域 和 电磁波,波束包络 接口的驱动参数,但是现在 root.freq 定义为 c_const/root.lambda0。当绘制全局参数,例如随扫描参数变化的 S 参数,波长自动地显示在 x-轴。
在下列模型中,现在使用波长域研究代替了频域研究:散射_纳米球、表面等离激元 _线 _光栅、基底_上_的散射体、六角_光栅,以及自_聚焦。
六边形周期性结构
现在可以使用周期性端口正确分析六边形周期性结构,您只需要指定在六边形单元的边上的入射波方向,所有周期性边界条件将得到正确地应用。周期性端口还得到改进,能够处理分割的端口边界。
Time-Domain Modeling of Dispersive Drude-Lorentz Media
对于 电磁波,瞬态 接口,您现在可以从可用的电位移场模型使用 Drude-Lorentz 色散模型,Drude-Lorentz 极化 特征现在可以作为子特征增加到波方程特征。Drude-Lorentz 极化 特征在期望的域上增加了下列方程:

这个方程将与瞬态波方程同时求解得到磁矢势。
场连续性特征增加到了单向波束包络接口
为了模拟下图所示的环形谐振腔,您可以使用 电磁波,波束包络 接口的单向格式。要处理这种环形谐振腔的结构,您必须输入随着环中顺时针传播的波增加的相函数(假设波从直波导的底端传播向顶端)。为了闭环,您必须在相函数中引入突变。在图片所示的模型中,在直和环形波导之间的内部边界处引入相突变。通过新增的‘场连续性’边界条件强制在这个边界上电场和磁场的切向分量连续。
这个边界条件只能用于单向传播和内部边界。通常它被隐藏,但是如果在‘模型开发器’工具条中的‘显示’菜单选择了‘高级物理场接口选项’,将变得可选。
新增光学材料数据库
射线光学和波动光学模块新增了光学材料数据库,其中包含有关诸多材料中折射率实部和虚部的色散数据。这些材料中包含大量的玻璃,可用于透镜、半导体材料及其他领域。下列模型现在使用了‘光学材料数据库’:散射_纳米球、表面等离激元 _线 _光栅,以及基底_上_的散射体。
隐失模的 S 参数设定为零
对于无传播(隐失)的端口模式,S 参数现在自动设定为零。因此,您无需增加逻辑表达式来将对应于隐失波的频率/角度的 S 参数置零。这可以简化后处理中 S 参数的使用。
新增教学模型:六角光栅
一个平面波入射到反射型六角光栅,光栅的单元包含突出的半球。计算了几种不同波长下不同衍射级的散射系数。