在 AlGaAs/GaAs 量子阱中嵌入 InAs 量子点太阳能电池
Application ID: 100761
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于“半导体”接口的陷阱特征，因此本例使用该特征对阱和点进行建模，计算得到的光电流趋势和量子点态占有率与论文中显示的结果非常吻合。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。