忆阻器
Application ID: 141181
本模型捕捉了一种由一层夹在两个金属电极之间的薄金属氧化物构成的氧化物基忆阻器的动态阻变行为。当施加电压时，氧化物层内的氧空位发生迁移，充当电荷载流子，触发阻变效应。
本模型实现了多物理场全耦合，包含氧空位的漂移-扩散、电流连续性以及传热等关键物理现象，这些相互作用对于准确重现器件行为至关重要。仿真结果展示了忆阻器特有的捏滞回线，与文献中报告的实验数据高度一致。
参考文献：Kim, Sungho, ShinHyun Choi, and Wei Lu. "Comprehensive physical model of dynamic resistive switching in an oxide memristor." ACS nano 8, no. 3 (2014): 2369-2376。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
- COMSOL Multiphysics® 和
- 以下模块之一： 放电模块, 或 半导体模块
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。