包含显式金属和介电域的 MOSFET 模型

Application ID: 108881


本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级,采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述,摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进,可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: