浮栅 EEPROM 器件的编程过程

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此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化,从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果。随后使用瞬态研究来模拟控制栅上的瞬态电压脉冲。这些脉冲使电流在浮栅和半导体材料之间产生隧穿,从而对 EEPROM 器件进行编程和擦除。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: