碳化硅二极管击穿
Application ID: 131621
本模型演示如何模拟碳化硅二极管中由碰撞电离引起的雪崩击穿，呈现了器件的电流-电压 (I-V) 特性及电场分布图。此外，还计算了载流子产生项，以展示击穿电流的路径。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。