使用等离子体模块的表面化学反应教程
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表面化学反应通常是反应流建模中被忽视的方面。这个教学案例演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中，随后模拟硅在晶片上的生长。
最初，使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后，建立空间相关模型并运行，仔细分析系统中的总体质量平衡，同时研究质量平均速度与扩散速度之间的差异。模型表明系统中的总质量和摩尔浓度保持守恒。最后，研究了沉积硅的高度随时间变化的情况。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。