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在本例中,静电可调式平行板电容器是射频范围介于 300 MHz 到 300 GHz 之间的各种 MEMS 器件的典型部件。当外加电压发生变化时,可以通过连接到其中一块板的弹簧来修改两块板的间距。然后 ... 扩展阅读
本案例展示了如何结合外部电路,对电容器的进行瞬态模拟,其中包括了电容器的有限元模型,以及含电压源和电阻的电路模型。施加电压阶跃变化,计算通过电容器的瞬态电流,并将结果与解析结果进行比较。 扩展阅读
本案例模拟了施加正弦时变压差的电容器,分析了较宽的频率范围,并计算了器件的阻抗。解决了求解器精度,讨论了器件的频域阻抗与稳态电容和电阻之间的关系。 扩展阅读
典型的电容器由两个导电物体组成,这两个物体之间有电介质。在这两个导体之间施加的电压差在二者之间产生电场,这个电场不仅直接存在于导电物体之间,还会延伸一定的距离,这称为边缘场。为了准确地预测电容器的电容 ... 扩展阅读
运算放大器 (op-amp) 是一种差动电压放大器,在模拟电子学方面有着广泛应用。本教学案例模拟连接到反馈环路和电容负载的运算放大器。 运算放大器被模拟为电路 接口中的等效线性子电路,在该接口中,它被插入外部电路 ... 扩展阅读
低介电常数薄间隙边界条件,用于静电场模拟,近似处理与周围介质相比较而言具有较低相对介电率的薄层材料。本例比较低介电常数薄间隙边界条件和全场模型,讨论了这种边界条件的应用范围。 扩展阅读
介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较,讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读