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在此基准模型中，固体颗粒在充分发展的湍流通道流中释放，颗粒受到曳力作用，该曳力包括来自流体湍流的贡献，流体湍流通过连续随机游走 (CRW) 模型实现，由于通道中的湍流为各向异性，惯性较大的颗粒往往聚集在通道壁附近 ... 扩展阅读
本例分析油水悬浮液通过节流孔的湍流。当悬浮液通过节流孔时，油滴在湍流应力作用下破碎成更小的油滴。此模型的目的是跟踪液滴尺寸的分布。液滴尺寸分布被离散为五个直径不同的液滴群。 此模型使用“相传递混合物模型，湍流，k-ε ... 扩展阅读
本例演示含低渗透性晶体的多孔介质中的两相流。较重的相渗透到多孔介质中，因此只有当外部达到临界饱和度时，才会渗透到低渗透性晶体。 扩展阅读
在半导体制造过程中，光刻胶涂覆是一项关键的工艺，需要精确控制光刻胶层的厚度。通常，通过旋涂来减小光刻胶层的厚度，其基本原理是利用离心力将晶圆表面多余的光刻胶甩出，通过调整材料属性和旋转速度等参数 ... 扩展阅读
此模型使用“高马赫数流动”接口对收缩和扩张喷管中的高速湍流气流进行建模。此装置中包含超音速流动，其入口处的流动是亚音速，但由于收缩和较低的出口压力，流动加速并在喉部变为音速 (Ma = 1)。 ... 扩展阅读
碳化硅 (SiC) 外延炉是专为生产和制备 SiC 外延片而设计的核心设备。本示例模型演示基于物理气相传输 (PVT) 法制备 SiC 外延片的过程。通过感应线圈加热 SiC 粉末，当温度达到特定值后，粉末开始升华 ... 扩展阅读
直拉法（Czochralski，CZ）是制备单晶硅的核心工艺之一。通过精准调控加热功率、拉速和晶体旋转速率，能够有效控制晶体的形状，尤其是其直径。 本模型演示了直拉法晶体生长炉的热分析过程。系统采用电加热器进行加热 ... 扩展阅读
本例研究一个由压电换能器驱动的玻璃毛细管中的声阱的三维模型。该系统通过压电换能器上的振荡电势驱动，在固体内诱发机械振动，并在流体中形成声压场。模型中还对压电换能器产生的热量进行了分析 ... 扩展阅读