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本教学案例介绍了在大气压下对氮气中的双头流注的研究。初始的电子种子被放置在两个电极之间，这两个电极对气体施加 52 kV/cm 的初始电场，产生向电极传播的负和正流注。流注的电子密度、电场和传播速度与 ... 扩展阅读
本教学案例演示在设计毫米波应用中常用的共面波导 (CPW) 电路时，如何在物理场接口中设置端口特征。 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读
本模型演示如何模拟一种利用反常折射现象的超表面光束偏转器。这是一种由六个柱体（元材料元素）组成的重复阵列，单个柱体的周期为 500 nm，因此六个柱体的完整结构宽度为 3 um，柱体高度为 1 um，该结构设计为在 1 ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
本例将一个富含水分的球形物体（如土豆）放置在微波炉的旋转玻璃托盘上，使其与转盘中心保持一定距离。通过波导馈入 1 kW 的 2.45 GHz 微波功率，转盘以每秒 9 度的速度旋转 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
在核聚变反应堆中，反应堆包层中的聚变等离子体和液态金属等导电流体可能与背景磁场相互作用，这种现象称为磁流体动力学 (MHD)，其中电磁场和流体流动通过洛伦兹力和电动势实现完全耦合。本模型演示如何模拟液态金属包层管道中的 ... 扩展阅读
