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介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
材料受到循环应力作用时产生的热弹性阻尼是设计 MEMS 谐振器时要考虑的一个重要因素，应力引起变形，材料在压应力作用下受热，在拉应力作用下冷却，因此，由于产生的热通量，能量发生损耗，来产生这种阻尼。 ... 扩展阅读
本模型模拟 GaN 基发光二极管器件，计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况，模拟了带隙的直接辐射复合，以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明，发射强度随着电流的增加而呈次线性增加，这是 LED ... 扩展阅读
这个基准模型模拟三种不同构型的异质结在正向和反向偏压下的特性，显示了使用连续准费米能级公式与热电子发射公式计算异质结中的电荷转移的差异；通过模拟每种构型的能级并进行比较，阐明了电荷转移的起源，即 ... 扩展阅读
该模型演示如何使用形状优化来设计 ICP 反应器的线圈以获得均匀的等离子体。所研究的反应器是一个平面 ICP，其线圈沿径向分布。本例使用“优化”研究步骤来找到最佳线圈位置，以尽可能地减小反应器中心的电子密度梯度。此外 ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料（超晶格）构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
从同轴电缆馈送到波导是在波导内实现电磁波的一种简单方法。由于电缆尺寸较小且为圆形，很大程度上有助于减小问题的总体规模。因此，需要采用尽可能短的电缆。 此模型介绍如何使用“端口”边界条件馈送到矩形波导。 扩展阅读
本模型使用 s 和 p 偏振的入射高斯光束演示光通过表面存在抗反射涂层的光学棱镜时的折射过程，还计算了反射率和透射率，以分析抗反射涂层的性能。 扩展阅读
基于表面等离激元的电路广泛应用于等离子体光子芯片、光产生和纳米刻蚀等应用领域。“表面等离激元线光栅分析仪”App 计算介电基板上表面等离激元光栅的折射系数、镜面反射及一阶衍射随入射角的变化。 此模型描述光栅的基本单元 ... 扩展阅读
