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同轴电缆 (coax) 是最普遍的传输线结构之一。其中心为圆导体，周围环绕有环形电介质，外部由导体屏蔽。本模型计算了同轴电缆内部的电场和磁场分布，分析了阻抗，并将结果与解析解进行了比较。 扩展阅读
本教学案例演示如何对智能手机中的微型扬声器进行建模，包括通过连接到外部的声学端口产生的辐射以及与该端口之间的相互作用。模型中展示了线性频域分析和非线性时域分析。 本例使用集总电路来表示微型扬声器的机电特性（经典的 ... 扩展阅读
平面波入射到反射六边形光栅上，光栅单元由凸出的半球体组成。模型计算了不同波长下不同衍射级的散射系数。 扩展阅读
本教学案例采用“不确定性量化”(UQ) 方法，研究制造偏差对“压电能量采集器”性能的影响，并演示了如何在频域研究中指定 UQ 研究，以计算能量采集器的功率输出。 扩展阅读
表面化学反应通常是反应流建模中被忽视的方面。这个教学案例演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中，随后模拟硅在晶片上的生长。 最初，使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
本案例模拟了施加正弦时变压差的电容器，分析了较宽的频率范围，并计算了器件的阻抗。解决了求解器精度，讨论了器件的频域阻抗与稳态电容和电阻之间的关系。 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
这个介绍性模型创建了一个简单的静磁问题模型，其中一根无限长的线缆承载电流，这是教科书中常见的一个案例。由于这个问题有解析解，因此可以使用该模型将理论结果与仿真的数值结果进行比较。本例中的线缆仍然有一个有限的半径 ... 扩展阅读
