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本教学案例使用硅太阳能电池的简单一维模型来演示使用“半导体模块”建立和执行半导体仿真的基本步骤。用户定义表达式用于表示光生成率，结果显示太阳能电池的典型 I-V 曲线和 P-V 曲线。 ... 扩展阅读
本教学案例研究大气压下干燥空气中的同轴直流电晕放电，模型尺寸和工作条件与采用线-板配置的静电除尘器相似。内线电极的半径为 100 mm，电极之间的间隙为 10 cm。 该模型采用漂移 ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
此基准模型计算未发生应变和发生应变的块状 GaN 纤锌矿晶体的价带结构，为想要使用“薛定谔方程”接口建立多个波函数分量的用户提供教学案例。该模型遵循 Chuang 和 Chang 在参考资料中给出的公式 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何对智能手机中的微型扬声器进行建模，包括通过连接到外部的声学端口产生的辐射以及与该端口之间的相互作用。模型中展示了线性频域分析和非线性时域分析。 本例使用集总电路来表示微型扬声器的机电特性（经典的 ... 扩展阅读
本教程演示如何模拟一种专为活细胞内应用而设计的微型磁致伸缩天线。 在共振频率下，研究了天线的应力分布、磁通密度、电流密度以及设备尖端的位移情况。 扩展阅读
表面化学反应通常是反应流建模中被忽视的方面。这个教学案例演示如何将表面反应和物质添加到化学气相沉积 (CVD) 这类研究过程中，随后模拟硅在晶片上的生长。 最初，使用全局模型来研究包含复杂化学物质的广泛参数区域。然后 ... 扩展阅读
此模型体现的是 J. D. Joannopoulus 书中讨论的指数导向光子晶体光纤。基模和高阶模的色散图与第 9 章图 4 非常匹配。孔半径变化范围为 0.23[um] 到 4.69[um]。 J.D. ... 扩展阅读
本例演示一个基准测试，结果表明，使用电流，多层壳 物理场接口得到的结果与使用基于三维实体结构的电流 接口求解模型的结果相同。 扩展阅读
本教学案例演示如何建立脉冲电容放电模型。导通脉冲包含 13.56 MHz 下的 10 个激励周期，以及后续 100 个无激励周期。本例研究 I-V 特性、电子密度、温度和等离子体电位。 扩展阅读
