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金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何建立脉冲电容放电模型。导通脉冲包含 13.56 MHz 下的 10 个激励周期，以及后续 100 个无激励周期。本例研究 I-V 特性、电子密度、温度和等离子体电位。 扩展阅读
材料受到循环应力作用时产生的热弹性阻尼是设计 MEMS 谐振器时要考虑的一个重要因素，应力引起变形，材料在压应力作用下受热，在拉应力作用下冷却，因此，由于产生的热通量，能量发生损耗，来产生这种阻尼。 ... 扩展阅读
本教学案例采用“不确定性量化”(UQ) 方法，研究制造偏差对“压电能量采集器”性能的影响，并演示了如何在频域研究中指定 UQ 研究，以计算能量采集器的功率输出。 扩展阅读
此教学案例演示如何计算电容耦合等离子体的阻抗。通过时间周期 研究计算等离子体的时间周期解，随后，将解转换为时域解，再调用快速傅里叶变换 (FFT) 求解器，这样可以针对给定的一组输入参数计算等离子体阻抗 ... 扩展阅读
此模型计算浮栅“电可擦除可编程只读存储器”(EEPROM) 器件的电流和电荷特性。稳态研究针对两种不同电荷存储量计算电流-电压曲线随控制栅压的变化，从而演示改变存储在浮栅上的电荷的效果 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“ECAD 导入模块”和“设计模块”基于 GDS 文件来构建三维偏压谐振器几何，其中模拟半导体和 MEMS 制造工艺，从而更有效地构建三维几何，该操作过程对于那些熟悉半导体和 MEMS ... 扩展阅读
本模型演示如何将拓扑优化与铣削约束相结合，设计出一种能够将指定的单一波长聚焦于一点的超透镜，并将优化结果导入另一组件，采用显式几何表示对该结果进行验证，以确保设计的准确性和可行性。 扩展阅读
