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金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
含氯的等离子体放电通常用于微电子制造中半导体和金属的蚀刻。 本教学案例利用全局（体积平均）扩散模型研究氯等离子体放电，使用全局扩散模型运行仿真所需的时间比运行空间相关模型所需时间少得多，因此 ... 扩展阅读
这是一个简单的萨格纳克干涉仪模型，干涉仪由排列成三角形的两个反射镜和一个分束器组成。整个建模域旋转；由于萨格纳克效应，三角形中沿相反方向传播的光线具有不同的光程长度，这可以用来推导系统的角速度。 扩展阅读
通过执行瞬态响应分析和时域到频域快速傅里叶变换 (FFT)， 我们可以进行宽带天线研究， 例如 S 参数和/或远场模式分析。此模型中，我们首先运行瞬态研究， 然后将因变量（磁矢势 A）和集总端口处的电压信号 ... 扩展阅读
该模型演示如何使用形状优化来设计波导滤波器，通过优化初始几何的虹膜，以确保良好的带通响应和带外抑制，同时保持双镜对称。 扩展阅读
模型比较了采用虚功 和麦克斯韦应力张量 方法计算的轴向磁轴承上的电磁力，通过研究小位移对系统电磁能的影响来计算力，这是使用磁场、变形几何 及灵敏度 物理场接口实现的。 扩展阅读
横向放置在波导孔前的导电膜片（虹膜）导致不连续性，并产生并联电抗。可以通过与这些电抗元件相结合的级联空腔谐振器来实现带通频率响应，这些电抗元件可以通过在波导内插入一系列虹膜元件而产生。模型由 X 波段波导 WR-90 ... 扩展阅读
瞬态分析对于采用时域反射法 (TDR) 处理信号完整性 (SI) 问题非常有用，但是许多射频和微波示例都是通过产生 S 参数的频域仿真来分析的。不过，根据频域数据很难确定这种信号衰减源的原因。 ... 扩展阅读