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环栅 MOSFET 由纳米线组成,纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道,因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制,并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应,而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟,并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分,我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是,现在可以像在真实设备中一样,沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
本例通过移动和缩放几何中的矩形,使用形状优化来设计波导滤波器。在保持双镜对称的同时,通过优化初始几何的虹膜,以确保良好的带通响应和带外抑制。 扩展阅读
该模型演示如何使用形状优化来设计波导滤波器,通过优化初始几何的虹膜,以确保良好的带通响应和带外抑制,同时保持双镜对称。 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“参数估计”特征推导出 MEMS 谐振器的电路模型。这是一个使用“电路”接口创建的修正 Butterworth-Van Dyke 电路模型,用于表示“薄膜体声波谐振器”(FBAR)。其中使用 ... 扩展阅读
本模型通过求解两项近似玻尔兹曼方程来研究氮气和氧气混合物(背景干空气),并通过在电子碰撞截面上对电子能量分布函数进行适当积分来计算电子传递系数和源项。此外,本例还演示如何准备可导出的电子能量分布函数,以便用于“等离子体 ... 扩展阅读