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金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读

本教学案例演示如何求解等离子体和半导体等色散介质中的全瞬态波动方程。二维 TM 面内波模型根据波动方程求解矢势，并根据常微分方程求解辅助电极化密度。 几何结构由一块具有亚波长狭缝的色散板组成，其中应用周期性边界条件 ... 扩展阅读

如果分析的目的是观察瞬态现象，确定信号传播所需的时间，或者如果建模材料相对于电场强度或磁场强度呈非线性，那么时域中的麦克斯韦方程仿真非常有用。本模型模拟沿同轴传输线传播的脉冲，并观察信号传播所需的时间。 扩展阅读

放置在辐射元件附近的介电谐振器可用于提高方向性和增益。此例中，一块石英介电块和附加的无源金属天线元件一起放置在缝隙天线上方，求解天线内及天线周围的场。计算了远场模式和阻抗，获得了较好的性能。 扩展阅读

缝隙螺旋天线采用共形设计，具有宽带频率响应特性，可用于通信、传感、跟踪、定位以及不同微波频段的许多应用。模型演示如何使用参数化曲线构建螺旋几何，并计算 S 参数和远场模式。 扩展阅读

在此模型中，微波吸收器由金字塔形有损结构的无限二维阵列构成，用辐射吸收材料 (RAM) 制成的金字塔形吸收器常用于电波暗室中的电磁波测量。本例使用有损耗材料对微波吸收建模，模拟了导电的碳负载泡沫的电磁属性。 扩展阅读

锥形天线具有宽带特性，且结构相对简单，因此有着广泛的应用。 在本例中，我们研究在一个采用有限接地面和 50 欧姆同轴馈电的单锥天线中，天线阻抗和辐射方向图与频率的函数关系。由于天线呈旋转对称 ... 扩展阅读

Uncertainty Quantification (UQ) is used to study the effect of manufacturing variation on the performance of ... 扩展阅读

霍尔效应传感器是一种具有各向异性电导率的半导体材料，半导体的电导率随磁场发生变化。在本例中，一个安装在轮子上的磁铁在传感器附近旋转，其中模拟传感器中电位的变化情况。 扩展阅读

根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读