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根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
平衡电枢换能器（BAT，在某些行业中亦称为接收器）是助听器及其他入耳式音频产品中广泛采用的高性能微型扬声器，本例对一个典型的换能器进行全耦合的振动-电声仿真。 本模型在磁系统的直流分析基础上 ... 扩展阅读
用二维轴对称方法可以轻松对大型反射器进行建模。在本模型中，反射器的半径大于 20 个波长，并且反射器受到轴向圆形馈电喇叭天线照射。模拟得到的远场结果显示了高增益窄波束图。 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
Uncertainty Quantification (UQ) is used to study the effect of manufacturing variation on the performance of ... 扩展阅读
这个微带贴片天线教学案例分析演示如何将有限元法 (FEM) 与边界元法 (BEM) 相结合，以评估 FEM 计算域以外的场。该模型通过 FEM 计算 S 参数、近场分布和远场辐射方向图，并使用 BEM ... 扩展阅读
