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本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此,与其他更复杂的量子力学方法相比,采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
本例中的模型演示如何通过用户定义的集总端口和集总元件在导体之间引入激励和集总电路元件。在其他一些模型中,演示了如何使用阻抗和过渡边界条件而不是体积方法来模拟导体。 欢迎阅读博客文章“结合运用体积导体模型和集总元件” ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 242 页),模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料(超晶格)构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
本例模拟一个静电驱动的 MEMS 谐振器。该装置由平行板电容器上施加的交流 + 直流偏压驱动。其中计算谐振器的吸合和释放电压。这是通过对从初始松弛状态一直到吸合平坦状态的整个运动范围的位移-电压轨迹执行准静态分析完成的。 扩展阅读
本教学案例通过求解与经典的两项近似法中的均质、瞬态电子玻尔兹曼方程全耦合的等离子体流体类型方程,对 ICP 反应器进行建模。针对空间的每个位置求解近似的玻尔兹曼方程,并通过电子平均能量将其与流体类型方程相耦合 ... 扩展阅读
用二维轴对称方法可以轻松对大型反射器进行建模。在本模型中,反射器的半径大于 20 个波长,并且反射器受到轴向圆形馈电喇叭天线照射。模拟得到的远场结果显示了高增益窄波束图。 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文,求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献;同时,采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读