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在这个由两部分组成的示例的前半部分，我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型，然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常，最有效的方法是从二维模型开始，以确保一切按预期工作，然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本教学案例演示如何在硅反型层的装置物理场仿真中使用密度梯度公式来包含量子限域效应。该公式只需要比传统的漂移-扩散方程增加适量的计算资源。因此，与其他更复杂的量子力学方法相比，采用此公式可以明显加快工程研究速度 ... 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读
差分线由两条通过两个异相信号激发的传输线组成。众所周知，这种配置对提高信噪比非常有用。本例演示如何使用 TEM 型端口来设置差分微带线。 扩展阅读
该模型模拟设计用于可控扩散混合的 H 形微流池。微流池使两种不同的层流在可控时间段内接触。接触面非常明确，通过控制流率，可以控制通过扩散从一个流传递到另一个流的物质量。该示例最初由 Albert Witarsa ... 扩展阅读
本例采用修正剑桥黏土材料模型模拟三轴和固结试验。用常数泊松比公式可恢复非线性应力-应变关系。对于正常固结和高度超固结的土壤，可以恢复硬化和软化特性。 扩展阅读