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本例在“MOS 晶体管 (MOSFET) 的直流特性”模型基础上进行了优化升级,采用显式建模方法对金属和介电域进行精确描述,摒弃了传统的边界条件简化方式。通过这一改进,可以清晰观察到金属和绝缘体内部的电位分布。 扩展阅读
本模型演示如何通过将“拓扑优化”接口中的“密度模型”特征与“先稳态,后特征频率”研究步骤相结合,设计出不具有低特征频率的梁结构。 扩展阅读
在 MESFET 中,栅极形成整流结,该整流结通过改变结的耗尽宽度来控制沟道的开口。 在此模型中,我们模拟了 n 掺杂砷化镓 MESFET 对不同漏极和栅压的响应。对于 n 型掺杂材料 ... 扩展阅读
本例详细描述假设具有微结构的催化剂颗粒。在第二个模型中,异质描述用均质颗粒来近似,并将两种方法的结果进行比较。 请参阅: https://cn.comsol.com/blogs/modeling-approaches ... 扩展阅读
此模型演示由基板旋转引起的滑块运动的建模,分析了滑块在惯性力、离心力、弹簧力和阻尼力等各种力作用下的运动。 用于连接两个组件的棱柱关节为弹簧负载,并且还包含阻尼效应。 将滑块的运动与解析解进行比较 ... 扩展阅读
一根金属圆柱棒隐藏在球形电介质壳内,其方向未知。通过研究圆柱杆的偏振相关散射场并根据偏振角执行参数化扫描,检测了散射场强度最大时圆柱杆的偏振角。此模型采用线偏振平面波作为背景场,计算远场辐射方向图。 扩展阅读