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本模型演示如何使用内部接触 特征来模拟两根铜母线板在螺栓连接处的接触压力分布。交流电流经组件时，趋向于在导体的外边界附近流动，然而，接触电阻却是在靠近螺栓的区域达到最低值，这是因为该区域的接触压力最大 ... 扩展阅读
本例演示如何在三维空间中对 FinFET 进行建模仿真，以获取其电流-电压 (I-V) 特性。首先，通过扫描栅极电压，绘制出漏极电流与栅极电压的关系曲线。随后，在固定栅极电压条件下，进一步计算漏极电流随漏极电压变化的特性。 扩展阅读
本模型模拟了在 U 型结构表面沉积氧化铝薄膜的 ALD 沉积过程。该工艺采用三甲基铝 (TMA) 和水 (H2O) 作为气态前体，氮气作为吹扫气体。气态反应物依次被引入反应腔室，并在U型结构表面经历一系列吸附和化学反应 ... 扩展阅读
本例阐明如何使用“反应工程”接口在零维中建立和求解级联反应釜模型。 模型分析一连串三个连续釜式反应器。反馈回路不断调节第一个釜的入口浓度，从而保持最后一个器的出口浓度接近预设水平。 扩展阅读
屈曲是细长结构组件的常见故障模式。该模型在约束斜撑体积的同时，最大限度地提高了斜撑的屈曲载荷。 扩展阅读
本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
此示例展示了如何对二次电流分布和几何结构发生变化的电极生长进行建模。为了避免数值不稳定性，在初始几何结构中引入了种子层，使生长电极与绝缘体之间的边缘呈直角。 扩展阅读