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此模型模拟在电磁波谱的红外部分发光的 LED。该器件结构由一个 p-n 结组成,通过在 n 型晶片上表面附近添加 p 型掺杂来制作一个层,由此可以形成 p-n 结。 这种器件的几何结构简单,且造价便宜,因此类似的 ... 扩展阅读
本例再现了参考资料 1 中有关散热器与电子封装之间界面处的接触热阻的部分研究。八个冷却翅片安装在圆柱形散热器上,并在组件的径向边界上发生接触。 器件的效率取决于翅片的冷却以及从组件到散热器的传热 ... 扩展阅读
特征频率研究用于确定氧化物限制的、基于砷化镓的垂直腔面发射激光器 (VCSEL) 的谐振频率和阈值增益。 仿真分两步执行,首先执行常规的特征频率分析,以便为随后的非线性特征频率分析确定良好的初始值。 ... 扩展阅读
此模型模拟 GaN 基发光二极管器件,计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况,模拟了带隙的直接辐射复合,以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明,发射强度随着电流的增加而呈次线性增加,这是 LED ... 扩展阅读
本例研究在点对面配置中产生的直流等离子体弧的电气和热特性。其中假设放电处于局部热力学平衡状态,将等离子体视为一种导电流体介质,并使用磁流体动力学方法进行建模。该模型演示如何使用“感应/直流耦合平衡放电 ... 扩展阅读
