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本教学案例求解氩/氯混合物中带有射频偏压的电感耦合等离子体反应器（也称为 ICP/CCP 反应器），其中计算了流体流动和气体加热，并讨论电负性放电建模的重要方面和策略。 扩展阅读
此模型利用等离子体，时间周期 接口对美国国家标准与技术研究院 (NIST) 气体电子会议 (GEC) 参比电池进行二维研究。二维示例有助于理解物理场，而不会消耗过多的 CPU 时间。 该参比电池由固定功率驱动 ... 扩展阅读
电子能量分布函数 (EEDF) 在总体放电特性中起着重要作用。在本例中，我们研究氩等离子体的形成周期，其中着重分析 EEDF。等离子体由 1 kV 直流电源电压在 100 mTorr 下于 4 cm 间隙内产生 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 242 页），模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“集总电池”接口对电池容量损失进行建模，在假设电池电极的内部结构或设计以及材料选择都未知的前提下，使用一组集总参数来描述电池的寄生反应引起的容量损失。 老化分析包括日历寿命和循环寿命研究。 扩展阅读
同轴电缆 (coax) 是最普遍的传输线结构之一。其中心为圆导体，周围环绕有环形电介质，外部由导体屏蔽。本模型计算了同轴电缆内部的电场和磁场分布，分析了阻抗，并将结果与解析解进行了比较。 扩展阅读
这个基准示例构建两个跨桥开尔文电阻器模型，用于提取比接触电阻率。第一个模型使用“半导体”接口中内置的接触电阻特征，以三维模式模拟该系统。另一个模型是参考文献中开发的系统的二维近似，通过边界偏微分方程数学接口实现 ... 扩展阅读
此模型介绍如何建立 n-p-n 双极晶体管的三维仿真，它是双极晶体管模型中所示器件的三维版本，演示了如何使用 COMSOL Multiphysics 将半导体建模扩展为三维模式。 正如此模型的二维版本一样 ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读