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本例通过扩展“高压绝缘体”模型，演示如何建立“优化”研究来确定均压环的最佳位置，从而获得最高闪络电压。 扩展阅读
低介电常数薄间隙边界条件，用于静电场模拟，近似处理与周围介质相比较而言具有较低相对介电率的薄层材料。本例比较低介电常数薄间隙边界条件和全场模型，讨论了这种边界条件的应用范围。 扩展阅读
介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
当电子从平面平行真空二极管中的热阴极发射时，它们使得二极管中的空间电荷密度增大，这又会影响电势分布，如果阴极和阳极之间的电势差不够大，则在两极之间形成最低电势，将能量不足的电子斥回阴极 ... 扩展阅读
感应元件在高频下会产生导体之间的电容耦合。模拟这种现象时，需要描述与导线平行和垂直的电场分量。这种分析可能会得出以下结论：即使线圈呈螺旋状，也总是需要三维模型才能对这种现象进行建模，但实际上并非如此。 ... 扩展阅读
在本例中，静电可调式平行板电容器是射频范围介于 300 MHz 到 300 GHz 之间的各种 MEMS 器件的典型部件。当外加电压发生变化时，可以通过连接到其中一块板的弹簧来修改两块板的间距。然后 ... 扩展阅读
