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本模型模拟了在 U 型结构表面沉积氧化铝薄膜的 ALD 沉积过程。该工艺采用三甲基铝 (TMA) 和水 (H2O) 作为气态前体，氮气作为吹扫气体。气态反应物依次被引入反应腔室，并在U型结构表面经历一系列吸附和化学反应 ... 扩展阅读
本例采用“修正剑桥黏土模型”和“扩展巴塞罗那基本土壤模型”对非饱和土层上浅基础的沉降和隆起进行分析，演示了由于地下水位线运动引起的孔隙吸力效应，以及由此造成的黏土层沉降和隆起。 扩展阅读
化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。 UHV/CVD 在低于 10-6 ... 扩展阅读
本例通过扩展“高压绝缘体”模型，演示如何建立“优化”研究来确定均压环的最佳位置，从而获得最高闪络电压。 扩展阅读
本例使用“硬化土小应变”材料模型来模拟单调和循环三轴试验。 模型中能够捕捉循环载荷下的小应变刚度和滞后效应，得到的应力-应变关系与参考资料中报告的双曲线相一致。 扩展阅读
