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离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系,确定器件的阈值电压;然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本教学案例演示如何从 MEMS 换能器的 FEM 模型推导出其集总模型,其中包含电容式微机械超声换能器 (CMUT) 的 FEM 模型以及使用“集总机械系统”(LMS) 接口创建的相应集总模型,并通过“参数估计 ... 扩展阅读
本例演示一个基准测试,结果表明,使用电流,多层壳 物理场接口得到的结果与使用基于三维实体结构的电流 接口求解模型的结果相同。 扩展阅读
电子能量分布函数 (EEDF) 在总体放电特性中起着重要作用。在本例中,我们研究氩等离子体的形成周期,其中着重分析 EEDF。等离子体由 1 kV 直流电源电压在 100 mTorr 下于 4 cm 间隙内产生 ... 扩展阅读
与单腔滤波器相比,级联腔滤波器提供的带通滤波性能要好得多。使用级联设计可显著改善带外抑制。 本模型通过槽将三个矩形腔滤波器耦合起来,计算得出的 S 参数表明带外抑制性能非常好。 扩展阅读
本教学案例解释如何通过稳态源扫描 研究来提取集总矩阵。其中使用五终端系统的电容矩来推断金属物体的位置,类似于现实世界中的电容式位置传感器。 本例说明了静电 接口支持的有限元法的使用。使用有限元法时 ... 扩展阅读