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低介电常数薄间隙边界条件，用于静电场模拟，近似处理与周围介质相比较而言具有较低相对介电率的薄层材料。本例比较低介电常数薄间隙边界条件和全场模型，讨论了这种边界条件的应用范围。 扩展阅读
本例组合使用射线追踪、计算流体力学和拉格朗日粒子追踪对简单的紫外线 (UV) 水净化反应器进行建模。首先，使用“几何光学”接口沿着从紫外灯表面释放的光线累积体积注量率，然后求解反应器中的流体速度。最后 ... 扩展阅读
在这个由两部分组成的示例的后半部分，我们通过扩展前半部分的二维模型来构建沟槽栅 IGBT 三维模型。与二维模型不同的是，现在可以像在真实设备中一样，沿拉伸方向交替排列 n+ 和 p+ 发射极 ... 扩展阅读
本例通过移动和缩放几何中的矩形，使用形状优化来设计波导滤波器。在保持双镜对称的同时，通过优化初始几何的虹膜，以确保良好的带通响应和带外抑制。 扩展阅读
通过执行瞬态响应分析和时域到频域快速傅里叶变换 (FFT)， 我们可以进行宽带天线研究， 例如 S 参数和/或远场模式分析。此模型中，我们首先运行瞬态研究， 然后将因变量（磁矢势 A）和集总端口处的电压信号 ... 扩展阅读
微带贴片天线阵列在许多行业中用作雷达信号和 RF 信号的收发器，这是 5G 移动网络系统的一种主要备选天线。 该 App 模拟在多层低温共烧陶瓷 (LTCC) 基底上制作的单狭缝耦合微带贴片天线。借助该 App ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线，其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合，可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读
这个教学案例演示如何使用“App 方法”来计算和绘制 Petzval 透镜的几何调制传递函数 (MTF)。 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读