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微型接头凸块电镀二维模型

此模型演示对流和扩散对铜微连接器凸块(金属柱)的传输受限电镀的影响。微连接器凸块在各种类型的电子应用中用于元件互连,例如,液晶显示器 (LCD) 和驱动器芯片就用到了这样的突块。 使用光致抗蚀剂掩模来控制凸块在电极表面上的位置。在均匀性和形状方面控制电流分布对于确保互连凸块的形状及与此相关的可靠性至关重要。 电池在高过电位下运行,因此沉积速率由沉积离子在电解质中的传输速率控制,此工作条件的结果是无需模拟电解质和电极的电位即可确定凸块上的电流分布。 模型基于 Kondo 等人的论文。 扩展阅读

吊机连杆机构的优化

在复杂的机械系统中,很难仅通过工程分析或试错程序 来确定最优(甚至足够好的)解。 因此,使用数学优化方法是实现更好设计的有效 途径。 在本例中,利用“优化模块”对“多体动力学模块”中 模拟的吊机连杆机构进行了优化。目标是在最坏情况下的工作循环中减小 承受特定有效载荷所需的液压缸力。 本例是卡车吊机模型的扩展模型。 扩展阅读

HI 间歇式反应器

该教学案例演示*反应工程* 接口的多功能性,对体积恒定的间歇式反应器中的氢碘反应进行建模,模拟了等温和非等温条件。 扩展阅读

电荷交换室模拟器 中文

电荷交换单元由真空室中处于高压的气体区域组成。离子束与高密度气体相互作用时,离子与气体发生电荷交换反应,产生高能中性粒子,很可能只有一小部分离子束将进行电荷交换反应,因此,为了使离子束保持中性,在电荷交换单元外放置一对带电偏转板,通过这种方式可以产生高能中性源。 该 App 模拟质子束与含中性氩的电荷交换单元之间的相互作用。用户输入包括气室和真空室的多个几何参数、离子束属性以及用于使未发生电荷交换反应的离子产生偏转的带电板的属性。 该仿真 App 计算电荷交换单元的效率(测量保持中性的离子的百分比),并记录有关发生的不同类型碰撞的统计信息。 扩展阅读

离子射程基准模型

离子射程基准模型模拟高能质子通过硅时的电离损失及核散射。质子的初始能量随所使用的 1 keV 到 100 MeV 的参数化扫描而有所不同。 将质子的平均路径长度与文献中发表的连续慢化近似 (CSDA) 下的离子射程和初始运动方向的投影射程进行比较,仿真数据与实验数据非常一致。 扩展阅读

双频带印刷天线瞬态分析

A wideband antenna study, such as a(n) S-parameter and/or far-field pattern analysis, can be obtained by ... 扩展阅读

镍氢电池等效电路模型

A simple equivalent circuit model approach is presented for Nickel metal hydride batteries. The 0D model ... 扩展阅读

母线板焦耳热

“母线板焦耳热效应”教学案例演示如何在 PTC® Pro/ENGINEER® 软件和 COMSOL Multiphysics® 软件之间同步装配,如何从 COMSOL Multiphysics® 修改几何,以及如何运行几何参数化扫描。 扩展阅读

铜的无电沉积

无电沉积或电镀是不需要任何外部电力的非电镀方法,该技术通常用于镍、银、金和铜的无电镀。 在无电沉积中,部分氧化和还原反应发生在同一电极表面。氧化还原反应的平衡电位与电极表面电位之间的电位差是沉积过程的驱动力。 本教学案例预测无电沉积过程中的电流密度、沉积厚度和离子物质浓度的变化。 扩展阅读

MOSCAP 一维模型小信号分析

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型,使用小信号分析方法计算低频和高频 C-V 曲线。模型采用准费米能级公式和“半导体平衡”研究步骤。 扩展阅读