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本教学案例使用“半导体模块”中的“薛定谔方程”物理场接口求解谐波势阱中玻色-爱因斯坦凝聚基态的 Gross-Pitaevskii 方程，此方程本质上是非线性单粒子薛定谔方程，其势能贡献与局部粒子密度成正比 ... 扩展阅读
此模型在子模型中利用热黏性声学接口获得穿孔板转移阻抗的详细结果（包括热损耗和黏滞损耗）。 阻抗又用作消声器的压力声学模型中的内部阻抗。将结果与经典阻抗模型和测量结果进行了比较。 扩展阅读
拓扑优化可以获得极端的设计自由度，从而产生极端的性能。通过使用铣削约束，可以实现更容易制造的设计，但要付出一些性能上的代价。本例考虑一个扭转球的情况，已知该扭转球的最佳设计是一个封闭球 ... 扩展阅读
本模型模拟正流注在弱电场中的传播过程，其中光致电离过程对流注头部前方种子电子的生成至关重要。通过精确模拟，捕捉了电场和电子密度随时间变化的动态特性，所得结果与文献中发表的数据高度一致。 扩展阅读
本例研究水溶液中氯气的中和动力学，模型假定流体体积完全混合且恒定，这意味着氯已经溶解到几乎饱和的状态 (1·10-2 mol/m3)，并且氢氧化物在整个过程中也完全混合，就像洗涤器中流体非常少的情况 ... 扩展阅读
本模型模拟一个具有各向同性散射的圆柱形熔炉，旨在验证在二维轴对称情况下使用“离散坐标法”的合理性，并将结果与高精度的蒙特卡罗方法进行比较。模型设置和蒙特卡罗参考值均源自： R .P. Gupta, T.F. ... 扩展阅读
离子束刻蚀是半导体制造、材料科学和微机电系统 (MEMS) 领域不可或缺的核心工艺。为深入剖析这一复杂物理过程，本概念验证模型使用带电粒子追踪 接口，精确模拟了硅表面的氩离子溅射过程，并采用变形几何 ... 扩展阅读
