CF4/O2 等离子体反应器全局模型(用于硅刻蚀)

Application ID: 140901


本例采用全局模型研究 CF4/O2 等离子体反应器中的硅刻蚀过程,并对离子能量和氧摩尔分数进行参数化扫描计算。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: