通过 PVT 法实现 SiC 的外延生长
Application ID: 107351
碳化硅 (SiC) 外延炉是专为生产和制备 SiC 外延片而设计的核心设备。本示例模型演示基于物理气相传输 (PVT) 法制备 SiC 外延片的过程。通过感应线圈加热 SiC 粉末，当温度达到特定值后，粉末开始升华。气态 SiC 向炉顶迁移，随着温度降低，SiC 蒸汽在覆盖有晶种层的晶圆表面沉积，形成高质量的外延层。这一过程涉及复杂的多物理场现象，包括电磁热、炉内的自然对流和表面对表面辐射、质量传递以及 SiC 蒸汽的升华与沉积。
在模型中，沉积和升华速率通过导入的实验数据精确控制，并使用 BODE 接口计算外延层的厚度。该模型具备高度扩展性，可进一步研究晶圆的表面反应、粉末中 SiC 蒸汽的质量传递，以及线圈的 PID 温度控制等关键因素。
案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模:
您可能需要以下相关模块才能创建并运行这个模型，包括：
建模所需的 COMSOL® 产品组合取决于多种因素，包括边界条件、材料属性、物理场接口及零件库，等等。不同模块可能具有相同的特定功能，详情可以查阅技术规格表，推荐您通过免费的试用许可证来确定满足您的建模需求的正确产品组合。如有任何疑问，欢迎咨询 COMSOL 销售和技术支持团队，我们会为您提供满意的答复。