超高真空化学气相沉积

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化学气相沉积 (CVD) 是半导体工业中常用的在晶片基板顶部生长高纯度固体材料层的工艺。 使用许多不同的技术在从大气压到超高真空 (UHV/CVD) 的压力范围内实现 CVD。

UHV/CVD 在低于 10-6 Pa (10-8 Torr) 的压力下进行,因此气体传递是通过分子流实现的,并且不存在任何流体动力学效应,例如边界层。另外,由于分子碰撞频率较低,也不涉及气相化学,因此生长速率将由物质数密度和表面分子分解过程决定。

此模型采用多种物质、自由分子流来模拟硅晶片的生长,研究了多种泵送曲线的影响。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: