分子流模块
使用分子流模块模拟真空系统中的低压气流
在离子注入器中，沿离子束的分子平均数密度用作评估设计的品质参数。它必须通过硅片绕轴旋转角度的函数的形式计算。
了解并预测自由分子流
研究真空系统的工程师和科学家们不仅使用“分子流模块”来设计真空系统，还通过它来了解并预测低压气体的流动。由于仿真分析可以加强人们对物理现象的理解，降低原型设计成本并加快开发速度，它们越来越频繁地出现在设计周期中。真空系统的原型设计往往十分昂贵。因此，通过在设计过程中增加仿真分析的应用，可以节省大量的成本。真空系统中发生的气体流动可以通过各种不同的物理现象来描述，而不仅仅是传统的流体流动问题。在低压条件下，气体分子的平均自由程与系统的大小接近，此时气体的稀薄状态变得非常重要。流态通过 Knudsen 数 (Kn) 来按量分类，该参数表示分子平均自由程与气流几何尺寸的比值：
| 流动类型 | Knudsen 数 |
|---|---|
| 连续流 | Kn < 0.01 |
| 滑动流 | 0.01 < Kn < 0.1 |
| 过渡流 | 0.1 < Kn < 10 |
| 自由分子流 | Kn > 10 |
微流体模块可以模拟滑移流和连续流，而“分子流模块”则专门用于准确模拟自由分子流态下的流动情况。在过去，这种流态下的流动情况是蒙特卡罗直接模拟法 (DSMC) 来建模。这一方法可以计算通过系统的大量随机粒子的轨迹，但会在建模过程中引入统计噪声。对于低速流动，例如真空系统中的流动，通过 DSMC 方法引入的噪声导致无法对其使用蒙特卡罗方法模拟。
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该模型使用自由分子流接口中的角系数法和利用数学粒子追踪接口建立的 Monte Carlo 法（需要粒子追踪模块），计算通过 RF 耦合器的传输概率。
低压、低速气体流动的精确建模
“分子流模块” 提供了前所未有的仿真功能，可以在复杂几何中对低压气体流动精确建模，是模拟半导体工艺、粒子加速器和质谱仪等设备中使用的真空系统的理想工具。除此之外，模块还可以模拟小通道流动问题（例如，页岩气勘探和纳米多孔材料中的流动）。“分子流模块”使用角系数方法来模拟稳态自由分子流动，可以计算表面上的分子通量、压力、数密度以及热通量，并可以根据周围表面上的分子通量计算域、表面、边和点上的数密度。模块还支持等温和非等温分子流的建模，并计算来自气体分子的热通量。
产品特征
- 等温流和非等温流使用角系数方法
- 域、边界、边和点上的数密度进行了重构
- 多物质
- 对流入边界定义了扩散通量、蒸发以及储层条件
- 对流出边界定义了总真空度和真空泵条件
- 对壁定义了排气、热脱附、吸附和脱附条件
- 对非等温流定义了其他温度边界条件
- 对整个几何剖分网格或仅对表面剖分网格
应用领域
- 真空系统
- 半导体处理设备
- 材料处理设备
- 超高真空化学气相沉积 (UHV/CVD)
- 离子注入器
- 电荷交换池
- 热蒸发
新型绝热技术为发展中国家运送疫苗
D. Gasperino, O. Yildirim Intellectual Ventures, WA, USA
医务人员运送疫苗时，疫苗必需在低温条件下储存。这也限制他们无法将疫苗运送到电力不足的地区。Intellectual Ventures 的 Global Good 项目发明了一种类似于保暖瓶的容器，通过冰对其供电，然后便可以使疫苗长时间保持低温。他们采用了 ...
离子注入真空系统中的分子流
“离子注入机计算器”App 分析离子注入系统的设计。离子注入在半导体工业中广泛用于将掺杂剂注入到晶片。 在离子注入机内，离子源内产生的离子经电场加速，获得所需的注入能量。通过磁分离方式使离子束弯曲，选择电荷状态合适的离子，从而确保只有特定荷质比的离子才能到达晶片 ...
排气管
单向分子流中的旋转板
毛细管中的分子流
计算任意几何中的分子流会生成复杂的积分方程，这些方程很难用解析方法进行计算。因此，解析解仅适用于简单几何。最早求解的问题之一是气体流过任意长度的管，这最初是由 Clausing 正确推导的。后来，Cole 更准确地计算了 Clausing 导出的积分表达式 ...
差动泵浦
压差真空系统使用小孔或管来连接真空系统中两个压力相差较大的部分。当工艺在较高压力下运行，并且由需要 UHV 才能运行的检测器进行监控时，需要使用这种系统。在模型中，使用流率的解析式对气流通过狭窄管道流入高真空室的过程作近似处理 ...
负载锁定真空系统中水的吸附和解吸
RF 耦合器中的分子流
这个模型计算了通过 RF 耦合器的传输概率，其中使用“自由分子流”接口中的角系数方法，以及“数学粒子追踪”接口中的蒙特卡洛方法。两种方法计算得出的传输概率非常一致，差异不足 1%%。需要“粒子追踪模块”。
电荷交换室模拟器
电荷交换单元由真空室中处于高压的气体区域组成。离子束与高密度气体相互作用时，离子与气体发生电荷交换反应，产生高能中性粒子，很可能只有一小部分离子束将进行电荷交换反应，因此，为了使离子束保持中性，在电荷交换单元外放置一对带电偏转板，通过这种方式可以产生高能中性源。 ...
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