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本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本教学案例演示在设计毫米波应用中常用的接地共面波导 (GCPW) 电路时，如何在物理场接口中设置端口特征。 扩展阅读
通过自由空间传播的平面电磁波以一定角度入射到无限电介质。模型计算反射系数和透射系数，并与菲涅尔方程给出的结果进行了比较。 扩展阅读
太阳能聚光器/腔式接收器系统可用于将入射的太阳辐射聚焦到一个小区域，从而产生强烈的热量，这些热量随后可以转化为电能或化学能。在太阳能热发电系统中，一个常见的品质因数是聚光比 ... 扩展阅读
本教学案例使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，以此分析 InSb p 沟道场效应晶体管的直流特性，而不会大量消耗计算资源。量子阱沟道和靠近沟道的顶部绝缘体界面都应用了该限制效应 ... 扩展阅读
本教学案例模拟并分析在“磁共振成像”(MRI) 过程中，植入三节椎骨中的无源导电植入物（棒材与螺钉）引发的射频加热效应。无源导电植入物附近的射频场会产生局部增强，进而导致朝向植入物表面的组织区域升温。 扩展阅读
本教学案例求解微波腔中产生的氢等离子体，并以自洽的方式计算流体流动和气体加热。 扩展阅读
本模型演示如何模拟一种利用反常折射现象的超表面光束偏转器。这是一种由六个柱体（元材料元素）组成的重复阵列，单个柱体的周期为 500 nm，因此六个柱体的完整结构宽度为 3 um，柱体高度为 1 um，该结构设计为在 1 ... 扩展阅读
