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此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系,确定器件的阈值电压;然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
这个简单的基准模型采用有限元法和有限体积法计算一维 p-n 结的电势和载流子浓度。将结果与 Kramer 和 Hitchon 编著的 "Semiconductor Devices: A Simulation ... 扩展阅读
本教学模型对 SF6/氩混合气体中的电感耦合等离子体反应器进行求解,计算了流体流动和气体加热过程。此外,还探讨了模拟负电性放电的关键特性及建模策略。 扩展阅读
通过自由空间传播的平面电磁波以一定角度入射到无限电介质。模型计算反射系数和透射系数,并与菲涅尔方程给出的结果进行了比较。 扩展阅读
本教学案例演示在设计毫米波应用中常用的接地共面波导 (GCPW) 电路时,如何在物理场接口中设置端口特征。 扩展阅读
本教学案例模拟并分析在“磁共振成像”(MRI) 过程中,植入三节椎骨中的无源导电植入物(棒材与螺钉)引发的射频加热效应。无源导电植入物附近的射频场会产生局部增强,进而导致朝向植入物表面的组织区域升温。 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 256 页),模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
此模型模拟 3GHz 时的有损铁氧体环行器。通过更改几何设计参数,匹配基本 TE10 矩形波导模式的最小反射阻抗。 扩展阅读
