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信号完整性 (SI) 分析概述了通过高速互连、电缆和印刷电路板等电路传输的电信号的质量。接收的信号的质量可能因电路外部的噪声而失真，也可能因阻抗不匹配、插入损耗和串扰而质量下降。为此，运行 EMC/EMI ... 扩展阅读
双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构，分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读
介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
本模型展示了如何计算 MOSFET 的交流特性，根据漏极电流计算了器件的输出电导和跨导。 扩展阅读
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
此模型演示如何将电路仿真与有限元仿真相结合，有限元模型是具有非线性磁芯和 1000 匝线圈的电感器，其中匝数使用分布式电流技术建模。 电路作为 SPICE 网表导入 COMSOL Multiphysics ... 扩展阅读