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此模型计算一个简化的 MOSFET 元件的直流特性。首先计算漏极电流与栅压的关系，确定器件的阈值电压；然后计算多个栅压下漏极电流与漏极电压的特性。用户可以根据这些结果确定器件的线性区和饱和区。 扩展阅读
本教学模型对 SF6/氩混合气体中的电感耦合等离子体反应器进行求解，计算了流体流动和气体加热过程。此外，还探讨了模拟负电性放电的关键特性及建模策略。 扩展阅读
本模型研究由等距放置的砷化镓柱组成的光子晶体中的波传播。 柱间距决定了波数与光的频率之间的关系，从而可以防止特定波长的光在晶体结构内传播。这个频率范围称为光子带隙。特定的结构包含多个带隙 ... 扩展阅读
本模型演示如何模拟一种利用反常折射现象的超表面光束偏转器。这是一种由六个柱体（元材料元素）组成的重复阵列，单个柱体的周期为 500 nm，因此六个柱体的完整结构宽度为 3 um，柱体高度为 1 um，该结构设计为在 1 ... 扩展阅读
功率电感器是许多低频电源应用的中央控制元件，例如，它们用于计算机中主板和所有其他组件的开关电源。 设计这种电感器需要使用计算机仿真，此模型根据指定的材料参数计算电感。 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
本教学案例模拟并分析在“磁共振成像”(MRI) 过程中，植入三节椎骨中的无源导电植入物（棒材与螺钉）引发的射频加热效应。无源导电植入物附近的射频场会产生局部增强，进而导致朝向植入物表面的组织区域升温。 扩展阅读
