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介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
双势垒结构因其在共振隧穿二极管等半导体器件中的应用而受到关注。 此验证示例演示如何在薛定谔方程 接口中建立简单的一维砷化镓/铝砷化镓双势垒结构，分析准束缚态及其时间演化、共振隧穿现象以及透射随能量变化的情况 ... 扩展阅读
本教学案例求解氩气/氧气混合物中的一维电容耦合等离子体反应器，并讨论对电负性放电进行建模的重要方面和策略。 扩展阅读
本模型是链接中提供的永磁电机模型的延续，可以执行传热分析来计算各种定子电流和转子转速下的温升；然后对初始温度下的转矩以及铁和铜的损耗进行详细分析，并考虑损耗引起的温升。通过从中提取效率图 ... 扩展阅读
根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
超高频 RFID 标签广泛用于识别和跟踪动物。此模型 模拟超高频 (UHF) 范围内的无源射频识别 (RFID) 标签， 计算了相对于芯片应答器复阻抗的 反射系数。这是使用与传统散射参数分析法不同的方法 ... 扩展阅读
平行导线传输线由空气等电介质中的两根导线组成，这种传输线周围的场并不受导线的限制，而是延伸至无限远，但随着与导线距离增大，其强度迅速衰减。模型演示如何计算这种非屏蔽传输线的场和阻抗，并与解析解进行了比较。 扩展阅读
本例演示用于模拟Asahi 等人在参考文献中所述的阱内量子点太阳能电池的近似方法。量子阱和量子点层均被视为带隙中的集总能级，作者指定了点/阱能级与能带之间的跃迁，而电流密度的连续部分则不受阱和点的影响。这一描述等同于 ... 扩展阅读
固态装配谐振器 (SMR) 是一种压电 MEMS 谐振器，通常在厚基板上沉积声镜叠层制成。本教程演示如何在二维中模拟 SMR，其中计算了特征模态，并分析了 500 到 1200 MHz 的频率响应 ... 扩展阅读