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这个基准模型在频域和时域中计算作用在振动圆盘上的总力，并将两个结果与通过解析方式推导的表达式进行了比较。当振幅足够小时，系统呈线性，频域和时域结果与理论值非常一致。在时域中探讨了较大幅度的振动 ... 扩展阅读
铁电材料在大的外加电场下表现出非线性极化特性，例如磁滞和饱和。许多压电材料是铁电性的。模型分析了一个由 PZT 压电陶瓷材料制成的简单执行器，该执行器受到外加电场的作用。 扩展阅读
基于表面等离激元的电路广泛应用于等离子体光子芯片、光产生和纳米刻蚀等应用领域。“表面等离激元线光栅分析仪”App 计算介电基板上表面等离激元光栅的折射系数、镜面反射及一阶衍射随入射角的变化。 此模型描述光栅的基本单元 ... 扩展阅读
本教学模型基于 Jock 等人关于自旋轨道量子比特的论文，求解均匀磁场中简单硅量子点的两分量薛定谔方程的特征态。模型中使用了“薛定谔方程”接口的内置“洛伦兹力”域条件来考虑矢势对动量的贡献；同时，采用内置的“零阶哈密顿 ... 扩展阅读
改变光偏振的能力对于多种光学器件来说都是至关重要的，例如，光的偏振对光隔离器、衰减器和分光器的性能有显著影响。通过为光指定特定的偏振（主要是线性偏振或圆偏振），可以显著减少光学系统中的炫光。 ... 扩展阅读
本教程演示如何模拟一种专为活细胞内应用而设计的微型磁致伸缩天线。 在共振频率下，研究了天线的应力分布、磁通密度、电流密度以及设备尖端的位移情况。 扩展阅读
过电流或过载等电活动可能会严重损坏电路或输电线。为避免更换关键零件产生的高成本，可以安装电开关断路器，一旦达到临界电流，断路器立即移动柱塞，以机械方式切断电流或电流浪涌。断路器与熔断器完全不同，为了保护周围的电气部件 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
