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随着集成电路 (IC) 技术的飞速发展，电路性能不断提升，尺寸日益缩小，识别并预防电路故障的各种因素变得尤为重要。 互连结构内的电迁移是导致电路故障的关键因素之一，其根本原因在于金属内部空位的积聚。 ... 扩展阅读
碳化硅 (SiC) 外延炉是专为生产和制备 SiC 外延片而设计的核心设备。本示例模型演示基于物理气相传输 (PVT) 法制备 SiC 外延片的过程。通过感应线圈加热 SiC 粉末，当温度达到特定值后，粉末开始升华 ... 扩展阅读
本模型使用 s 和 p 偏振的入射高斯光束演示光通过表面存在抗反射涂层的光学棱镜时的折射过程，还计算了反射率和透射率，以分析抗反射涂层的性能。 扩展阅读
电磁带隙 (EBG) 结构可用于增强相互靠近的天线之间的绝缘性。解耦效应不仅随频率而变化，还与极化和耦合平的配置相关。 在设计 EBG 结构时，务必确保应用正确的频率和极化，否则会增加器件之间的耦合 ... 扩展阅读
这个偶极天线阵列示例演示如何使用边界元法 (BEM) 进行经济高效的分析。在处理由金属散热器组成的大型阵列时，相较于有限元法 (FEM)，边界元法需要更少的计算资源。仿真结果描绘了一个由谐振频率为 1 GHz ... 扩展阅读
本例针对“半导体可饱和吸收镜”(SESAM) 在不同入射光束功率下的热效应进行仿真分析。研究过程分为两步：第一个研究模拟多物理场耦合过程，涵盖光束在 SESAM 上的饱和吸收、由此产生的热效应、SESAM ... 扩展阅读
该模型演示如何使用形状优化来设计 ICP 反应器的线圈以获得均匀的等离子体。所研究的反应器是一个平面 ICP，其线圈沿径向分布。本例使用“优化”研究步骤来找到最佳线圈位置，以尽可能地减小反应器中心的电子密度梯度。此外 ... 扩展阅读
本验证模型使用“电磁波，边界元”接口来模拟理想导体球的雷达散射截面 (RCS)，并将仿真结果与解析计算结果进行比较，以验证模型的准确性。 扩展阅读
