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介电屏蔽边界条件旨在近似处理与周围环境相比具有较高相对介电常数的薄层材料。该边界条件可用于静电场建模。示例将使用介电屏蔽边界条件的模型与高保真模型进行了比较，讨论了这种边界条件的适用范围。 扩展阅读
这个介绍性模型创建了一个简单的静电问题模型，其中包含两个无限长的同心圆柱体，这是教科书中常见的一个案例。由于这个问题有解析解，因此可以将理论结果与仿真的数值结果进行比较。这里考虑两种情况：一种是两个圆柱体上具有固定电位 ... 扩展阅读
本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中，添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读
电容耦合等离子体的基础物理学相当复杂，即使是相当简单的几何构型和等离子体化学反应也是如此。此模型基于多个不同计算结果对“电容耦合等离子体”物理场接口进行基准测试。 扩展阅读
本模型使用“半导体”和 RF 模块来描述光电导天线 (PCA)。 本例将一束激光脉冲作用在未掺杂的低温生长砷化镓 (LT-GaAs) 表面，以产生电子-空穴对。这些电子-空穴对在外部电场的作用下移动，形成瞬态电流脉冲 ... 扩展阅读
本例通过移动和缩放几何中的矩形，使用形状优化来设计波导滤波器。在保持双镜对称的同时，通过优化初始几何的虹膜，以确保良好的带通响应和带外抑制。 扩展阅读
平行导线传输线由空气等电介质中的两根导线组成，这种传输线周围的场并不受导线的限制，而是延伸至无限远，但随着与导线距离增大，其强度迅速衰减。模型演示如何计算这种非屏蔽传输线的场和阻抗，并与解析解进行了比较。 扩展阅读
本教学案例解释如何通过稳态源扫描 研究来提取集总矩阵。其中使用五终端系统电容矩阵来推断金属物体的位置，类似于现实世界中的电容式位置传感器。 本例说明了静电，边界元 接口支持的边界元法 (BEM) 的使用。 扩展阅读