高功率 IGBT 模块的热分析

Application ID: 121521


本例提供一个工业级概念验证 (POC) 模型,演示如何对额定电压 1200 V、额定电流 1800 A 的高功率绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 模块进行电-热耦合分析。

通过稳态研究,该模型精准模拟了器件在“导通”状态下的工作情况:此时,大电流主要流经 IGBT 芯片,仅有少量电流通过续流二极管 (FWD) 回流。模型不仅评估了半导体材料、金属化层及键合线内部的电流与温度分布规律,还完整再现了热量经由散热器耗散的传热路径。

本模型采用焦耳热 多物理场接口,将电流固体传热 相结合,并引入电磁热 多物理场耦合。针对半导体材料的电学属性,模型采用了宏观等效处理方法:通过施加有效电导率,确保结区两端的电位降与预设的温度相关值保持高度一致,从而在保证计算精度的同时大幅提升求解效率。

案例中展示的此类问题通常可通过以下产品建模: