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本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
离子敏场效应晶体管 (ISFET) 是用适当的电解质取代 MOSFET 的栅极触点构建的。电解质中特定离子种类的浓度可以通过测量由离子与栅极电介质之间的相互作用引起的栅压变化来确定。 此 ISFET pH ... 扩展阅读
改变光偏振的能力对于多种光学器件来说都是至关重要的，例如，光的偏振对光隔离器、衰减器和分光器的性能有显著影响。通过为光指定特定的偏振（主要是线性偏振或圆偏振），可以显著减少光学系统中的炫光。 ... 扩展阅读
随着外加场平行分量的增大，载流子可以获得高于环境热能的能量，并且能够通过光学声子发射将场获得的能量传递到晶格。光学声子发射产生的效应导致载流子迁移率饱和。Caughey Thomas ... 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读
这个基准模型在频域和时域中计算作用在振动圆盘上的总力，并将两个结果与通过解析方式推导的表达式进行了比较。当振幅足够小时，系统呈线性，频域和时域结果与理论值非常一致。在时域中探讨了较大幅度的振动 ... 扩展阅读
