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如果无源器件的工作频率和集总元件的插入损耗都较低，则可以使用集总元件特征来设计无源器件。本例模拟两种类型的集总元件滤波器，这两种滤波器与集总端口相似，不同之处在于它们是严格无源的，并且具有预定义的电感和电容选项。 ... 扩展阅读
这个微带贴片天线教学案例分析演示如何将有限元法 (FEM) 与边界元法 (BEM) 相结合，以评估 FEM 计算域以外的场。该模型通过 FEM 计算 S 参数、近场分布和远场辐射方向图，并使用 BEM ... 扩展阅读
本模型展示了如何在已有的简单 MOSFET 案例模型中，添加多个链接的迁移率模型。 扩展阅读
COMSOL Multiphysics 5.2 版引入了一种指定用户定义材料模型的新方法。 对于结构力学，您可以在域中完全定义材料模型，也可以向弹性材料添加非弹性应变贡献。 外部材料函数用 C 语言编码 ... 扩展阅读
本模型在分子和原子氢背景下，采用两项近似求解玻尔兹曼方程；并通过对电子能量分布函数在电子碰撞截面上的适当积分来计算电子迁移率和源项。 扩展阅读
本例中的纳米线 MOSFET 三维模型使用密度梯度理论在传统的漂移-扩散公式中引入量子限域效应，而不需要过高的计算成本。其中使用几何域对氧化层进行显式模拟，并通过专用的边界条件来分析氧化硅界面的量子限域 ... 扩展阅读
