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球栅阵列 (BGA) 技术是电子封装领域广泛采用的一种表面贴装技术。通常，阵列中的焊球分为两种类型：用于电连接的功能焊球以及仅起加固作用的支撑焊球。本模型通过优化支撑焊球在阵列中的布局 ... 扩展阅读

金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块，其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型，计算低频和高频 C-V 曲线。 扩展阅读

压电阀响应速度快且运行安静，因此常用于医学应用和实验室，其节能运行消耗的热量也非常少，这对于这些应用来说非常重要。 此模型介绍如何在 COMSOL 中对压电阀建模。阀由层叠压电致动器致动 ... 扩展阅读

接触阻抗边界条件用于对薄层材料进行近似处理，这种薄层材料可阻止垂直于边界的电流流动，但不会引入与边界相切的任何额外传导路径。示例将接触阻抗边界条件与全保真模型进行了比较，并讨论了该边界条件的适用范围。 扩展阅读

本例演示在存在基板的情况下如何计算远场辐射。其中演示了两种方法：一种是简化形式，适用于两个均匀域；另一种是更为通用的方法，能够处理多个不均匀的层。 本例扩展了内置的需要均匀仿真环境的“远场域”特征的功能。 扩展阅读

如果无源器件的工作频率和集总元件的插入损耗都较低，则可以使用集总元件特征来设计无源器件。本例模拟两种类型的集总元件滤波器，这两种滤波器与集总端口相似，不同之处在于它们是严格无源的，并且具有预定义的电感和电容选项。 ... 扩展阅读

瞬态分析对于采用时域反射法 (TDR) 处理信号完整性 (SI) 问题非常有用，但是许多射频和微波示例都是通过产生 S 参数的频域仿真来分析的。不过，根据频域数据很难确定这种信号衰减源的原因。 ... 扩展阅读

本模型在分子和原子氢背景下，采用两项近似求解玻尔兹曼方程；并通过对电子能量分布函数在电子碰撞截面上的适当积分来计算电子迁移率和源项。 扩展阅读

这两个模型介绍了如何使用全耦合方法或单向耦合方法建立磁流体力学模型。有关这些模型的更详细描述，请参阅博客文章“在 COMSOL® 中构建磁流体动力学多物理场模型”。 扩展阅读

本教学案例演示如何使用“ECAD 导入模块”和“设计模块”基于 GDS 文件来构建三维偏压谐振器几何，其中模拟半导体和 MEMS 制造工艺，从而更有效地构建三维几何，该操作过程对于那些熟悉半导体和 MEMS ... 扩展阅读