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这个微带贴片天线教学案例分析演示如何将有限元法 (FEM) 与边界元法 (BEM) 相结合,以评估 FEM 计算域以外的场。该模型通过 FEM 计算 S 参数、近场分布和远场辐射方向图,并使用 BEM ... 扩展阅读
超材料中的模式色散可以通过改变组成基本单元的材料类型和尺寸来进行设计。例如,周期性排列的亚波长金属-介质多层超材料在矩量空间中表现出各向异性的色散特性。在特定频率范围内,这种结构的介电常数会在正交光轴上呈现相反的符号 ... 扩展阅读
含氯的等离子体放电通常用于微电子制造中半导体和金属的蚀刻。 本教学案例利用全局(体积平均)扩散模型研究氯等离子体放电,使用全局扩散模型运行仿真所需的时间比运行空间相关模型所需时间少得多,因此 ... 扩展阅读
本教学案例基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书(2008 年版,第 242 页),模拟一个简单 PIN ... 扩展阅读
本模型通过求解两项近似玻尔兹曼方程来研究氮气和氧气混合物(背景干空气),并通过在电子碰撞截面上对电子能量分布函数进行适当积分来计算电子传递系数和源项。此外,本例还演示如何准备可导出的电子能量分布函数,以便用于“等离子体 ... 扩展阅读
本例中的模型演示如何通过用户定义的集总端口和集总元件在导体之间引入激励和集总电路元件。在其他一些模型中,演示了如何使用阻抗和过渡边界条件而不是体积方法来模拟导体。 欢迎阅读博客文章“结合运用体积导体模型和集总元件” ... 扩展阅读
“超晶格带隙工具”模型有助于设计由两种交替半导体材料(超晶格)构成的周期性结构。此模型采用有效质量薛定谔方程来估计给定超晶格结构中的电子和空穴基态能级。器件工程技术人员可以使用此模型快速计算给定周期结构的有效带隙 ... 扩展阅读
此基准模型模拟砷化镓纳米线,其中使用自洽薛定谔-泊松理论计算电子密度分布和限制电势分布。预定义的薛定谔-泊松多物理场耦合特征与专用的薛定谔-泊松研究类型相结合,可简化模型设置和自动创建参数可调的自洽迭代的过程 ... 扩展阅读