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本模型模拟 GaN 基发光二极管器件,计算了发射强度、光谱和效率随驱动电流变化的情况,模拟了带隙的直接辐射复合,以及非辐射俄歇复合和陷阱辅助复合过程。仿真结果表明,发射强度随着电流的增加而呈次线性增加,这是 LED ... 扩展阅读
在信号完整性 (SI) 应用中,时域反射法 (TDR) 是一项非常有用的技术,可通过观察反射信号强度来分析信号路径中的不连续性,如果不存在外部噪声源、串扰或不需要的耦合,则反射信号主要通过阻抗失配使输入脉冲失真。 ... 扩展阅读
电容耦合等离子体的基础物理学相当复杂,即使是相当简单的几何构型和等离子体化学反应也是如此。此模型基于多个不同计算结果对“电容耦合等离子体”物理场接口进行基准测试。 扩展阅读
金属-氧化物-硅 (MOS) 结构是许多硅平面器件的基本构建块,其电容测量法可以帮助用户深入了解此类器件的工作原理。本教学案例构建了一个简单的 MOS 电容器 (MOSCAP) 一维模型 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何求解等离子体和半导体等色散介质中的全瞬态波动方程。二维 TM 面内波模型根据波动方程求解矢势,并根据常微分方程求解辅助电极化密度。 几何结构由一块具有亚波长狭缝的色散板组成,其中应用周期性边界条件 ... 扩展阅读
本例演示在存在基板的情况下如何计算远场辐射。其中演示了两种方法:一种是简化形式,适用于两个均匀域;另一种是更为通用的方法,能够处理多个不均匀的层。 本例扩展了内置的需要均匀仿真环境的“远场域”特征的功能。 扩展阅读
