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本教程演示一款陀螺仪的工作原理，其设计基于 Veryst Engineering, LLC. 的 James Ransley 博士提供的方案，模型中采用了混合有限元格式的“静电”接口与“机电”进行耦合。 扩展阅读
操作：使用 EC 外部 I 终端 “电路”(CIR) 接口中的“外部耦合”有两种使用方式：“外部 I vs. U”和“外部 I 终端”。前者包含两个节点（表示差分外部电压测量），当与电流接口（EC）的“终端 ... 扩展阅读
使用二维轴对称模型设计圆形波导滤波器。添加到波导的六个环形圈形成串联的圆形腔，每个腔的截止频率接近滤波器的中心频率。模拟的 S 参数表明带通频率响应。 扩展阅读
本教学案例在三维模型组件中计算偶极天线的远场辐射方向图。然后，我们在单独的三维模型组件中使用远场辐射方向图释放射线，以初始化射线的强度、偏振和相位。 扩展阅读
本教学案例通过求解与经典的两项近似法中的均质、瞬态电子玻尔兹曼方程全耦合的等离子体流体类型方程，对直流辉光放电进行建模。针对空间的每个位置求解近似的玻尔兹曼方程，并通过电子平均能量将其与流体类型方程相耦合 ... 扩展阅读
本教学案例大致基于 B. J. Baliga 编写的 "Fundamentals of Power Semiconductor Devices" 一书（2008 年版，第 256 页），模拟了带电感负载的简单 PIN ... 扩展阅读
硅波导三维模型设置为肋和槽构型。我们在执行网格划分时包含物理场控制网格，并将纵向网格单元数设为 50，以便为波振荡生成可视化效果。 有关模型设置的详细讨论，请参见博客文章：“硅光子学：硅波导的设计和原型制作”中的 ... 扩展阅读
本例中的模型演示如何通过用户定义的集总端口和集总元件在导体之间引入激励和集总电路元件。在其他一些模型中，演示了如何使用阻抗和过渡边界条件而不是体积方法来模拟导体。 欢迎阅读博客文章“结合运用体积导体模型和集总元件” ... 扩展阅读
表面声学声子和表面粗糙度对载流子迁移率具有重要影响，尤其是在 MOSFET 栅极下的薄反转层中。Lombardi 表面迁移率模型使用 Matthiessen 定则将这些影响产生的表面散射添加到现有的迁移率模型。 ... 扩展阅读