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Touchstone 文件根据 S 参数描述 n 端口网络电路的频率响应，可用于简化任意复杂的电路。Touchstone 文件可以通过数值仿真或网络分析器测量来获得。 然后 ... 扩展阅读

低介电常数薄间隙边界条件，用于静电场模拟，近似处理与周围介质相比较而言具有较低相对介电率的薄层材料。本例比较低介电常数薄间隙边界条件和全场模型，讨论了这种边界条件的应用范围。 扩展阅读

在薄结构中产生弹簧状结构或引起曲率的一种方法是将结构电镀到受残余应力影响的基板上。 即使是类似的材料，电镀工艺也可以控制这一应力。静电控制微镜就是这样一种器件，这种器件通常非常小，并且其阵列可以在投影仪中实现。 ... 扩展阅读

双工器是将信号组合或拆分成两个不同频带的器件， 广泛用于移动通信系统。 此模型使用简化的 二维几何模拟拆分属性。在较低和较高频带计算 的 S 参数和电场将显示 Ka 波段下双工器 的特性。 扩展阅读

在这个由两部分组成的示例的前半部分，我们构建一个沟槽栅 IGBT 二维模型，然后在后半部分将其扩展成三维模型。通常，最有效的方法是从二维模型开始，以确保一切按预期工作，然后再将其扩展到三维。本例将 Caughey ... 扩展阅读

光学计算在取代当前电子计算机方面有着广阔的应用前景。本模型模拟一个基于六个马赫-曾德尔干涉仪 (MZI) 网络的光学 4x4 酉矩阵乘法装置。 欢迎阅读我们的博客文章“光学计算设备的仿真分析”，获取对该模型的更详细描述。 扩展阅读

此例演示了如何建立随空间变化的电介质分布。这里，通过矩形域的已知变形来定义凸透镜形状。电介质分布在未变形的原始矩形域上定义，并映射到凸透镜的已变形形状上。虽然这里定义的透镜形状是凸透镜，但电介质分布仍会使入射光束发散。 扩展阅读

环栅 MOSFET 由纳米线组成，纳米线周围缠绕着栅电极。由于整个纳米线形成沟道，因此这一构型可以实现对沟道的最佳静电控制，并为 MOSFET 的小型化提供了非常好的备选方案。 ... 扩展阅读

模式分析的主要目标通常是确定传播常数，该物理量通常是实数值，但并非总是如此；如果分析涉及损耗部分，如非零电导率或开放边界，则特征值为复数，在这种情况下，实部和虚部具有不同的含义： 实部是传播常数 虚部是衰减常数 ... 扩展阅读

有限元 (FEM) 仿真可以用来获取不同典型配置下的 SAW 速度和一些相关参数（如电机耦合系数的平方、反射率等）。这些参数是 SAW 器件设计中各种解析和半解析方法（如 Delta 函数模型、COM 方法等 ... 扩展阅读