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本教程分析 InAs 纳米线 FET 的电导-栅极-电压 (G-Vg) 曲线的滞回现象，使用密度梯度理论将量子限域效应添加到传统的漂移-扩散公式中，不会大幅增加计算成本。这种滞后现象是由连续能量分布 ... 扩展阅读
本教学案例演示如何使用“ECAD 导入模块”和“设计模块”基于 GDS 文件来构建三维偏压谐振器几何，其中模拟半导体和 MEMS 制造工艺，从而更有效地构建三维几何，该操作过程对于那些熟悉半导体和 MEMS ... 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
本模型演示一种基于单元类型划分网格的技术。通过首先对边界层进行网格划分，然后分割并创建新的网格，可以避免对感应加热零件的内部体进行建模，其中的集肤深度与零件尺寸相比较小，但仍然足够大到需要使用边界层网格。 扩展阅读
本模型演示如何计算紫外线 (UV) 反应器的体积注量率，几何形状是围绕圆柱形灯的环形流体区域，其中考虑了反应器壁上的反射对径向注量率分布的影响。 扩展阅读
操作：使用 EC 外部 I 终端 “电路”(CIR) 接口中的“外部耦合”有两种使用方式：“外部 I vs. U”和“外部 I 终端”。前者包含两个节点（表示差分外部电压测量），当与电流接口（EC）的“终端 ... 扩展阅读
本例举例说明如何模拟横截面积变化的波导的阻抗。有关这一现象的更详细描述以及建模过程，请参阅博客文章“计算波纹波导的阻抗”。 扩展阅读
“AC/DC 模块”中的磁接口支持使用外部 C 代码定义的材料模型。COMSOL Multiphysics 5.2 版本引入了一种指定用户定义材料模型的新方法。支持用户访问用 C 代码编写的外部材料函数 ... 扩展阅读
此 App 对直流辉光放电建模，采用玻尔兹曼方程，两项近似 接口计算电子能量分布函数 (EEDF) 和电子传递属性。由于玻尔兹曼方程，两项近似 接口的输入参数（例如等离子体的电离度）事先 未知，因此要执行迭代过程 ... 扩展阅读