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电容耦合等离子体的基础物理学相当复杂,即使是相当简单的几何构型和等离子体化学反应也是如此。此模型基于多个不同计算结果对“电容耦合等离子体”物理场接口进行基准测试。 扩展阅读
化学气相沉积 (CVD) 是制造微芯片的重要步骤。其中一种常见的应用是低压下硅在晶片上的沉积,由于这个过程受到沉积动力学的限制,需要使用低压反应器获得气态物质的高扩散率,形成均匀的沉积厚度。 ... 扩展阅读
本模型在分子和原子氢背景下,采用两项近似求解玻尔兹曼方程;并通过对电子能量分布函数在电子碰撞截面上的适当积分来计算电子迁移率和源项。 扩展阅读
此模型用于验证和确认“壳”接口中的“多层线弹性材料”模型。在 COMSOL Multiphysics 中,我们可以通过“多层壳”接口基于分层三维弹性理论、或通过“壳”接口基于 FSDT-ESL 理论分析复合材料。 ... 扩展阅读
此验证示例研究简支深梁的强迫随机振动,梁受到具有均匀功率谱密度 (PSD) 的分布力载荷。本例计算位移和弯曲应力响应的输出 PSD,并将计算值与解析结果进行比较。 扩展阅读
This model presents the flow noise generated by flow past the so-called tandem cylinder configuration. The ... 扩展阅读
