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根据给定栅压的漏源电压，MOSFET 通常有三种工作模式。漏源电压较小时，电流与电压呈线性关系，这是欧姆区；随着漏源电压的升高，引出电流开始饱和，这是饱和区；随着漏源电压进一步升高，进入击穿范围 ... 扩展阅读
本例研究在毫米波 5G 频段（随温度变化）工作的级联腔滤波器的电性能。由于发热导致结构产生变形，因此，滤波器元件（空腔）的谐振频率受到热-结构现象的影响。本例计算不同热膨胀配置下的 S 参数。 扩展阅读
渐逝模腔滤波器可以通过在空腔中添加结构来实现。这种结构会改变谐振频率，使其低于无填充物空腔的主模式的谐振频率。其中使用压电执行器控制空气间隙的大小，从而调谐谐振频率。 扩展阅读
本模型演示如何基于一般的漂移-扩散模型来模拟电解质栅极有机场效应晶体管，其中使用“稳定对流-扩散方程”和“静电”接口，并显示晶体管特性的可视化效果。所模拟器件中 EDL 的形成过程展示了 EGOFET 的关键特性。 扩展阅读
混合模式 S 参数描述通过以下两种模式激励和终止平衡端口时，电路的响应情况：共模和差模。其中使用四端口网络的全 S 参数矩阵来计算响应，该网络由四个单端线路组成。本例分析两个相邻的微带线并计算混合模式 S 参数。 扩展阅读
微带滤波器可以直接布设在印刷电路板 (PCB) 上，输入端与输出端之间有微带线，沿微带线接有多条一定长度和宽度的分支线。滤波器的设计涉及选择微带线的阻抗、微带分支线的阻抗以及分支线的长度。 ... 扩展阅读
